YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
作者:标准资料网 时间:2024-05-14 13:54:40 浏览:8180
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基本信息
| 标准名称： | 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 |
| 英文名称： | Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-steady-state surface photovoltage |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 发布部门： | 国家发展和改革委员会 |
| 发布日期： | 2008-03-12 |
| 实施日期： | 2008-09-01 |
| 首发日期： | |
| 作废日期： | |
| 提出单位： | 全国有色金属标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国有色金属标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 起草人： | 孙燕、卢立延、杜娟、李俊峰、翟富义 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2008-05-01 |
| 页数： | 16页 |
| 书号： | 155066·2-18659 |
适用范围
本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。 本标准修改采用SEMI MF 391-1106《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》。
本标准与SEMI MF 391-1106相比主要有如下变化：
———标准格式按GB/T 1.1要求编排；
———将SEMI MF 391-1106中的部分注转换为正文；
———将SEMI MF 391-1106中部分内容进行了编排。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
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所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
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