GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
作者:标准资料网 时间:2024-05-15 09:55:33 浏览:8304
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基本信息
| 标准名称： | 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 |
| 英文名称： | Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 2009-10-30 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 信息产业部专用材料质量监督检验中心?中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 起草人： | 马农农、何友琴、丁丽 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
| 页数： | 12页 |
| 计划单号： | 20070864-T-469 |
适用范围
本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。
1.2 本标准适用于对锑?砷?磷的掺杂浓度<0.2%(1×1020atoms/cm3)的硅材料中硼浓度的检测。
特别适用于硼为非故意掺杂的p 型杂质,且其浓度为痕量水平(<5×1014 atoms/cm3)的硅材料的测试。
本标准适用于检测硼沾污浓度大于SIMS 仪器检测限(根据仪器的型号不同,检测限大约在5×1012atoms/cm3~5×1013atoms/cm3)两倍的硅材料。
前言
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目录
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引用标准
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
ASTM E122 评价一批产品或一个工艺过程质量的样品大小的选择规范
所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
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